Uszkodzenie napięcia elektrostatycznego na liniach produkcyjnych półprzewodników i układów scalonych
1. Napięcie elektrostatyczne na liniach półprzewodnikowych i IC
1 nosząc ubrania nylonowe, plastikowe buty bazowe powoli przesuwające się po czystej podłodze, ludzkie ciało przyniesie napięcie 7KV-8KV
2 Gdy nośnik kryształu wykonany z włókna szklanego przesuwa się po stole polipropylenowym, łatwo jest wygenerować elektryczność statyczną o mocy 10 kV.
3 wafelowa linia montażowa: opłatek 5KV, skrzynka do załadunku płytek 35KV, odzież robocza 10KV, pulpit 10KV, pokrywa z pleksiglasu 8KV, kryształ kwarcowy 1,5KV, tacka waflowa 6KV
4 litografia podłogi z tworzywa sztucznego 500V-1000V, podłoga z siatki metalowej jest również 500V-1000V, dyfuzyjna podłoga z tworzywa sztucznego podłoga 500V-1500V podłoga jest również 500V-1500V, powierzchnia ściany z tworzywa sztucznego wynosi około 700V, sufit z tworzywa sztucznego 0-1000V, wylot powietrza z aluminium, powrót Wylot powietrza 500V-1000V, metalowy ruchomy skórzany fotel o powierzchni 500V-3000V
2. Zagrożenia elektrostatyczne na liniach produkcyjnych półprzewodników i układów scalonych
1 Zagrożenie elektrostatyczną siłą kulombowską: Pył i brud adsorbowane przez elektrostatyczną siłę kulombowską mogą powodować powstawanie składników, które mogą powodować wyciek lub zwarcie, co może pogarszać wydajność i znacznie zmniejszać wydajność. Jeśli wielkość cząstek pyłu wynosi> 100 μm, szerokość drutu aluminiowego wynosi około 100 μm, a grubość folii jest mniejsza niż 50 μm, produkt najprawdopodobniej zostanie złomowany. Dzieje się tak głównie w procesach czyszczenia korozyjnego, fotolitografii, zgrzewania punktowego i pakowania.
2 Zagrożenie spowodowane wyładowaniem elektrostatycznym: Jeśli istnieją tysiące dziesiątek tysięcy woltów obiektów o wysokim potencjale, wyładowania w kształcie impulsu lub wyładowania iskrowe, gdy do ziemi płynie bardzo wysoki prąd wyładowania, impulsowy prąd szczytowy tworzy się przy 20A. , powodując znaczne uderzenie, wyładowaniom elektrostatycznym (ESD) towarzyszy również emisja fali elektromagnetycznej, która spowoduje różne zagrożenia.
A, MOSIC i inne urządzenia półprzewodnikowe zostaną uszkodzone elektrostatycznie (ESD) lub ulegną awarii. Brama tranzystora polowego MOS jest wyjęta z warstwy tlenku, a warstwa tlenku jest umieszczona między bramką a podłożem. Gdy napięcie między bramką a podłożem przekroczy pewną wartość, warstewka tlenku jest rozbijana, jeśli MOSIC, to wszystko jest złomowane. Po przyłożeniu napięcia do UB = 50-100 V, warstwa tlenku zostanie rozbita, ponieważ pojemność bramy jest bardzo mała (około kilku pikofarad), a rezystancja wejściowa jest bardzo wysoka (około 1014Ω lub więcej). Mała ilość ładunku będzie generować bardzo wysokie napięcie, a ładunek będzie trudny do zatopienia. Dopóki jest większa niż 50 V (brak ochrony), wypali się. Dlatego też, dopóki osoba dotknie siatki, komponent zostanie przerwany, ponieważ często ludzie ładują więcej niż 50V. .
Możemy zrozumieć wrażliwość układów scalonych na elektryczność statyczną. Różnica między różnymi chipami polega na tym, że mogą one wytrzymać różne wartości napięcia statycznego. W warunkach praktycznych napięcie statyczne wynoszące prawie 20 V bezpośrednio styka się z urządzeniem, aby zniszczyć lub obniżyć wydajność.
Wyładowania elektrostatyczne uszkadzają elementy, aby cała płytka drukowana była bezużyteczna, co powoduje straty ekonomiczne;
Hałas wyładowań elektrostatycznych powoduje nieprawidłowe działanie lub wadliwe działanie sprzętu i pośrednie rozładowanie. Wynik pomiaru rozładowania kondensatora, oprócz generowania dużego impulsu prądu przejściowego, wytwarza również silny szum w kilku megahercach lub nawet setkach herców. W ostatnich latach poczyniono znaczne postępy w podstawowych badaniach nad nieprawidłowym działaniem komputera spowodowanym przez hałas wyładowań elektrostatycznych.
Gdy fale elektromagnetyczne wytwarzane podczas rozładowania wchodzą do odbiornika, generowany jest szum, który zakłóca sygnał, aby zmniejszyć jakość informacji lub spowodować błędy informacji.
3, niebezpieczeństwo indukcji elektrostatycznej
Obiekt indukowany przez elektryczność statyczną jest całkowicie równoważny naładowanemu ciału i występują zjawiska elektrostatyczne i zjawiska rozładowania. Jeśli rezystancja obiektu pomiarowego jest małym dobrym przewodnikiem, nastąpi wyładowanie iskrowe i wyrządzi szkodę.
A. W warsztacie operacji produkcyjnych.
W pobliżu urządzeń i linii wysokiego napięcia, gdy personel obsługuje spawanie, urządzenia MOS lub MOSSI, z powodu indukcji elektrostatycznej, łatwo jest wyładować elektrostatyczne ciało ludzkie do urządzenia, uszkadzając urządzenie.
B. Przepływ powietrza klimatyzacyjnego (przepływ jonów) transportowany rurociągiem jest równoważny ładowaniu, gdy ciało ludzkie wieje. Gdy ciało ludzkie ma kontakt z wrażliwymi komponentami, wyładowania elektrostatyczne zniszczą uszkodzone urządzenie.
4. Zagrożenie elektrostatyczne dla procesu produkcji sprzętu elektronicznego
Wszystkie aspekty produkcji maszyny będą narażone na uszkodzenia elektrostatyczne. Główne linki obejmują: zakup i transport urządzeń; kontrola i akceptacja urządzeń w fabryce; przechowywanie i zbieranie urządzeń; wkładanie i lutowanie urządzenia; montaż i kontrola produktu; pakowanie produktów i dostawa.
Oprócz zniszczenia elektryczności statycznej podczas produkcji elementów elektronicznych i sprzętu elektronicznego, podlega on również elektryczności statycznej podczas używania produktu. Podsumowując, uszkodzenia spowodowane przez elektryczność statyczną są wystarczające, aby spowodować, że wydajność urządzeń elektronicznych i urządzeń elektronicznych nie będzie dostrojona, a uszkodzenia urządzeń elektronicznych i urządzeń nie mogą być ignorowane.