Jak korzystać z urządzeń o niskiej zdolności antystatycznej
Dla użytkowników urządzeń urządzenia o wysokiej zdolności antystatycznej są zawsze bardziej popularne niż urządzenia o niskiej zdolności antystatycznej. Jednak wraz z rozwojem VLSI przyjęto zmniejszoną konstrukcję w celu uzyskania małych rozmiarów, lekkości, niskiego zużycia energii, wysokiej integracji i wysokiej wydajności, wysokiej niezawodności, niskiego poziomu wejściowego i wysokiej wydajności. Zalety szybkiego obrotu i inne aspekty. W procesie produkcyjnym powszechnie stosuje się szereg technologii mikroobróbki, takich jak płytkie połączenia i cienkie warstwy tlenku, a zdolność antystatyczna urządzeń pogarsza się.
Zdolność antystatyczna urządzenia różni się w zależności od projektu i procesu produkcyjnego urządzenia. Na przykład CMOS, w porównaniu z urządzeniami PMOS i NMOS, chociaż zdolność antystatyczna jest tego samego rzędu wielkości, urządzenia CMOS mają nieco wyższą zdolność antystatyczną niż urządzenia PMOS i NMOS o kilkaset woltów.
Żądanie użytkownika dotyczące urządzenia o wysokiej zdolności antystatycznej jest w pewnym stopniu nierealne. Po pierwsze, urządzenia o wysokiej zdolności antystatycznej są bardziej skomplikowane w procesie projektowania i produkcji, a koszt jest wyższy. Po drugie, urządzenia o wysokich właściwościach antystatycznych są drogie, a koszt całej maszyny rośnie.
W związku z powyższą sytuacją zaleca się dodanie obwodu tłumienia napięcia przejściowego (TVS) w celu ochrony odgromowej, zapobiegania przepięciom, antystatyki i przeciwzakłóceniu na zaciskach wejściowych / wyjściowych wrażliwych urządzeń o niskiej zdolności antystatycznej podczas projektowania całej maszyny . Może skutecznie poprawić właściwości antystatyczne całej maszyny. Obwody tłumienia napięć przejściowych są szeroko stosowane w innych zaawansowanych technologicznie dziedzinach, takich jak komunikacja, komputery, porty I / O oraz ochrona wejścia / wyjścia sygnału.
Obwody tłumienia napięć przejściowych (TVS) to urządzenie ochronne o wysokiej wydajności. Gdy dioda zabezpieczająca napięcie przejściowe jest poddawana odwrotnemu przejściowemu uderzeniu o wysokiej energii, zmienia wysoką impedancję między dwoma biegunami na niską impedancję z prędkością rzędu 1 x 10-12 s. Absorbując moc udarową do kilku kilowatów, napięcie między dwoma biegunami jest zaciśnięte do określonej z góry wartości, skutecznie chroniąc wrażliwe elementy obwodu elektronicznego przed różnymi impulsami udarowymi. Zaletą tego urządzenia jest szybki czas reakcji, duża moc przejściowa, niski prąd upływowy, łatwa kontrola napięcia zacisku, brak limitu uszkodzeń, niewielka objętość itp., I jest szeroko stosowany w różnych dziedzinach.